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参数资料
| 型号： | R5F21334DDFP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.80 MM, PLASTIC, LQFP-32 |
| 文件页数： | 21/45页 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | R5F21334DDFP |
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R8C/33D Group
5. Electrical Characteristics
REJ03B0287-0100 Rev.1.00
Page 28 of 42
Mar 31, 2010
Notes:
1.
The measurement condition is VCC = 1.8 V to 5.5 V and Topr =
20 to 85°C (N version) / 40 to 85°C (D version).
2.
Time until the voltage monitor 2 interrupt request is generated after the voltage passes Vdet2.
3.
Necessary time until the voltage detection circuit operates after setting to 1 again after setting the VCA27 bit in the VCA2
register to 0.
Notes:
1.
The measurement condition is Topr =
20 to 85°C (N version) / 40 to 85°C (D version), unless otherwise specified.
2.
To use the power-on reset function, enable voltage monitor 0 reset by setting the LVDAS bit in the OFS register to 0.
Figure 5.3
Power-on Reset Circuit Electrical Characteristics
Table 5.8
Voltage Detection 2 Circuit Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Standard
Unit
Min.
Typ.
Max.
Vdet2
Voltage detection level Vdet2_0
At the falling of VCC
3.70
4.00
4.30
V
–
Hysteresis width at the rising of VCC in voltage detection
2 circuit
–0.10–
V
–
Voltage detection 2 circuit response time (2)
At the falling of VCC from
5 V to (Vdet2_0
0.1) V
–
20
150
s
–
Voltage detection circuit self power consumption
VCA27 = 1, VCC = 5.0 V
–
1.7
–
A
td(E-A)
Waiting time until voltage detection circuit operation
starts (3)
–
100
s
Table 5.9
Power-on Reset Circuit (2)
Symbol
Parameter
Condition
Standard
Unit
Min.
Typ.
Max.
trth
External power VCC rise gradient
0
–
50000
mV/msec
Notes:
1. Vdet0 indicates the voltage detection level of the voltage detection 0 circuit.
2. tw(por) indicates the duration the external power VCC must be held below the valid voltage (0.5 V) to enable
a power-on reset. When turning on the power after it falls with voltage monitor 0 reset disabled, maintain
tw(por) for 1 ms or more.
Vdet0 (1)
0.5 V
Internal
reset signal
tw(por) (2)
Voltage detection 0
circuit response time
Vdet0 (1)
1
fOCO-S
× 32
1
fOCO-S
× 32
External
Power VCC
trth
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R5F21336TDFP | 32-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| R5F21334DDFP#50 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 16BIT 16KB FLASH 32LQFP |
| R5F21334DDFP#V2 | 功能描述:MCU 16KB ROM 1KB RAM 32-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:R8C/3x/33D 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR) |
| R5F21334DDFP#X6 | 功能描述:MCU 16KB ROM 1KB RAM 32-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:R8C/3x/33D 标准包装:300 系列:78K0R/Ix3 核心处理器:78K/0R 芯体尺寸:16-位 速度:40MHz 连通性:3 线 SIO，I²C，LIN，UART/USART 外围设备:DMA，LVD，POR，PWM，WDT 输入/输出数:27 程序存储器容量:16KB（16K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:38-SSOP 包装:托盘 |
| R5F21334DNFP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
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