- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11673 > R5F5630EDDFB#V0 (Renesas Electronics America)MCU RX630 2MB FLASH 144-LQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | R5F5630EDDFB#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 62/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU RX630 2MB FLASH 144-LQFP |
| 产品培训模块： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心处理器： | RX |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 117 |
| 程序存储器容量： | 2MB（2M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页当前第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页
R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
Page 154 of 168
Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.12
ROM (Flash Memory for Code Storage) Characteristics
Note 1. Definition of reprogram/erase cycle:
The reprogram/erase cycle is the number of erasing for each block. When the reprogram/erase cycle is n times (n = 1000),
erasing can be performed n times for each block. For instance, when 256-byte programming is performed 16 times for different
addresses in 4-Kbyte block and then the entire block is erased, the reprogram/erase cycle is counted as one. However,
programming the same address for several times as one erasing is not enabled (overwriting is prohibited).
Note 2. This indicates the minimum number that guarantees the characteristics after reprogramming. (The guaranteed value is in the
range from one to the minimum number.)
Note 3. This indicates the characteristic when reprogram is performed within the specification range including the minimum number.
Table 5.29
ROM (Flash Memory for Code Storage) Characteristics
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 2.7 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VSS_USB = 0 V
Temperature range for the programming/erasure operation: Ta = Topr
Item
Symbol
FCLK = 4 MHz
20 MHz
≤ FCLK ≤ 50 MHz
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Programming time
NPEC 100 hours
128 bytes
tP128
—
2.8
28
—
1
10
ms
4 Kbytes
tP4K
—
63
140
—
23
50
ms
16 Kbytes
tP16K
—
252
560
—
90
200
ms
Programming time
NPEC > 100 hours
128 bytes
tP128
—
3.4
33.6
—
1.2
12
ms
4 Kbytes
tP4K
—
75.6
168
—
27.6
60
ms
16 Kbytes
tP16K
—
302.4
672
—
108
240
ms
Erasure time
NPEC 100 hours
4 Kbytes
tE4K
—
50
120
—
25
60
ms
16 Kbytes
tE16K
—
200
480
—
100
240
ms
Erasure time
NPEC > 100 hours
4 Kbytes
tE4K
—
60
144
—
30
72
ms
16 Kbytes
tE16K
—
240
576
—
120
288
ms
Reprogram/erase cycle*1
NPEC
1000*2
—
1000*2
——
Times
Suspend delay time during programming
tSPD
—
400
—
120
μs
First suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tSESD1
—
300
—
120
μs
Second suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tSESD2
——
1.7
—
—1.7
ms
Suspend delay time during erasing
(in erasure priority mode)
tSEED
——
1.7
—
—1.7
ms
Data hold time*3
tDRP
10
—
10
—
Year
FCU reset time
tFCUR
35
—
35
—
μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R5F56108VDFP#V0 | MCU 32BIT FLASH 2M ROM 144LQFP |
| MS27484E16F55S | CONN PLUG 55POS STRAIGHT W/SCKT |
| MS3101F28-16S | CONN RCPT 20POS FREE HNG W/SCKT |
| VE-J33-IY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W |
| VE-J32-IZ-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 25W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R5F5630EDDFC | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 32BIT RX630 176LQFP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU, 32BIT, RX630, 176LQFP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU, 32BIT, RX630, 176LQFP; Controller Family/Series:RX600; Core Size:32bit; No. of I/O's:148; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:3.6V; Digital IC Case Style:LQFP; No. of Pins:176; Program Memory Size:2MB; RAM Memory ;RoHS Compliant: Yes |
| R5F5630EDDFC#V0 | 功能描述:MCU RX630 2MB FLASH 176-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 标准包装:96 系列:PIC® 16F 核心处理器:PIC 芯体尺寸:8-位 速度:20MHz 连通性:I²C，SPI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:11 程序存储器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 包装:管件 |
| R5F5630EDDFP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
| R5F5630EDDFP#V0 | 功能描述:MCU RX630 2MB FLASH 100-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 标准包装:96 系列:PIC® 16F 核心处理器:PIC 芯体尺寸:8-位 速度:20MHz 连通性:I²C，SPI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:11 程序存储器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 包装:管件 |
| R5F5630EDDFPV0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:32bitMCU, RX,2048K ROM,128K RAM,LFQFP100 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。