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参数资料
| 型号： | R5F5630EDDFC#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 63/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU RX630 2MB FLASH 176-LQFP |
| 产品培训模块： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心处理器： | RX |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 148 |
| 程序存储器容量： | 2MB（2M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 176-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
Page 155 of 168
Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.13
E2 Flash Characteristics
Note 1. Definition of reprogram/erase cycle:
The reprogram/erase cycle is the number of erasing for each block. When the reprogram/erase cycle is n times (n = 100000),
erasing can be performed n times for each block. For instance, when 128-byte programming is performed 16 times for different
addresses in 2-Kbyte block and then the entire block is erased, the reprogram/erase cycle is counted as one. However,
programming the same address for several times as one erasing is not enabled (over writing is prohibited).
Note 2. This indicates the minimum number that guarantees the characteristics after reprogramming. (The guaranteed value is in the
range from one to the minimum number.)
Note 3. This indicates the characteristic when reprogram is performed within the specification range including the minimum number.
Table 5.30
E2 Flash Characteristics
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 2.7 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VSS_USB = 0 V
Temperature range for the programming/erasure operation: Ta = Topr
Item
Symbol
FCLK = 4 MHz
20 MHz
≤ FCLK ≤ 50 MHz
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Programming time
NPEC 100 hours
2 bytes
tDP2
—
0.7
6
—
0.25
2
ms
Programming time
NPEC > 100 hours
2 bytes
tDP2
—
0.7
6
—
0.25
2
ms
Erasure time
NPEC 100 hours
32 bytes
tDE32
—4
40
—2
20
ms
Erasure time
NPEC > 100 hours
32 bytes
tDE32
—7
40
—4
20
ms
Blank check time
2 bytes
tDBC2
—
100
—
30
μs
Reprogram/erase cycle*1
NDPEC
100000*2
—
100000*2
——
Times
Suspend delay time during programming
tDSPD
—
250
—
120
μs
First suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tDSESD1
—
250
—
120
μs
Second suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tDSESD2
—
500
—
300
μs
Suspend delay time during erasing
(in erasure priority mode)
tDSEED
—
500
—
300
μs
Data hold time*3
tDDRP
10
—
10
—
Year
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| R5F5630EDDFP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
| R5F5630EDDFP#V0 | 功能描述:MCU RX630 2MB FLASH 100-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 标准包装:96 系列:PIC® 16F 核心处理器:PIC 芯体尺寸:8-位 速度:20MHz 连通性:I²C，SPI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:11 程序存储器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 包装:管件 |
| R5F5630EDDFPV0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:32bitMCU, RX,2048K ROM,128K RAM,LFQFP100 |
| R5F5630EDDLC | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
| R5F5630EDDLK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
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