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参数资料
| 型号： | R6012ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6012ANX
? Measurement circuits
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit
Fig.4-1 dv/dt Measurement Circuit
Fig.5-1 di/dt Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Fig.3-2 Avalanche Waveform
Fig.4-2 dv/dt Waveform
Fig.5-2 di/dt Waveform
Data Sheet
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
12/13
2012.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
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| R8002ANX | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6012ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 12A Power MOSFET |
| R6012FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R6013 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:Black 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon .50" Core ink side out |
| R6013-00 | 功能描述:电路板硬件 - PCB 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER RoHS:否 制造商:Harwin 类型:Shield Clip 长度:9.4 mm 螺纹大小: 外径: 材料:Beryllium Copper 电镀:Tin |
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