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参数资料
| 型号： | R6012ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6012ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.11 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
900
850
800
750
Data Sheet
Fig.12 Typical Transfer Characteristics
100
V DS = 10V
Pulsed
10
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
700
650
600
550
1
0.1
T a = -25oC
500
-50
0
50
100
150
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.13 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
6
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Transconductance vs. Drain Current
100
5
V DS = 10V
I D = 1mA
10
V DS = 10V
Pulsed
4
1
3
0.1
2
T a = -25oC
T a = 25oC
1
0
0.01
0.001
T a = 75oC
T a = 125oC
-50
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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