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参数资料
| 型号： | R8008ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.03 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R8008ANX
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 100
Unit
nA
Conditions
V GS = ? 30V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
800
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on) *
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
-
3.0
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.79
-
1080
480
32
32
50
85
30
39
8.7
23
100
5.0
1.03
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
? A
V
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS =800V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
I D =4.0A, V GS =10V
V DS =10V, I D =4.0A
V DS =25V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 400V, I D =4.0A
V GS =10V
R L =100 ?
R G =10 ?
V DD 400V
I D =8.0A
V GS =10V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward Voltage
V SD *
-
-
1.5
V I S =8.0A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
相关PDF资料 |
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