参数资料
型号: R8008ANX
厂商: Rohm Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.03 欧姆 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装
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