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参数资料
| 型号： | RB050L-40TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD-106 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-106 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB050L-40TE25DKR |
              www.rohm.com ? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. DataSheet RB050L-40 ?Electrical characteristic curves (Ta=25°C) 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.1 10 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) Mounted on epoxy board 1ms IM=100mA IF=1A 300us time 0 50 100 150 200 250 300 0.1 1 10 100 t Ifsm 0 5 10 15 20 AVE:9.3ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(A) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 0.01 0.1 1 10 0 100 200 300 400 500 600 Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 480 490 500 510 520 530 AVE:503.8mV Ta=25℃ IF=3A n=30pcs 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Ta=25℃ VR=40V n=30pcs AVE:9.069uA 500 510 520 530 540 550 560 570 580 590 600 AVE:579.1pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 0 50 100 150 200 1 10 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 50 100 150 200 AVE:157.0A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 1 2 3 4 5 012345 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 2/3 2013.06 - Rev.E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB050L-60TE25 | DIODE SCHOTTKY 60V 3A 106-SOD |
| RB051L-40TE25 | DIODE SCHOTTKY 20V 3A SOD106 |
| RB051LA-40TR | DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDT |
| RB051M-2YTR | DIODE SCHOTTKY 20V 3A 123-SOD |
| RB055L-30TE25 | DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDS2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB050L-40TE-25 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Shottky barrier diode |
| RB050L-40TF | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Shottky barrier diode |
| RB050L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB050L-60_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB050L-60TE25 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 60V 3A 2PIN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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