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参数资料
| 型号： | RB051M-2YTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 163K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 3A 123-SOD |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 460mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 900µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB051M-2YTRDKR RB051M-2YTRDKR-ND |
         www.rohm.com ?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB051M-2Y ?Applications ?Dimensions(Unit : mm) ??Land size figure(Unit : mm) General rectification ?Features 1)Small power mold type.（PMDU） 2)Ultra Low VF 3)High reliability ?Construction Silicon epitaxial planer ?Structure ?Taping specifications(Unit : mm) ?Absolute maximum ratings(Ta=25?C) Parameter LimitsSymbol Unit Reverse voltage (repetitive) 20VRM V Reverse voltage (DC) 20VR V Average rectified forward current(*1) 3Io A IFSM A Junction temperature 125Tj ?C Storage temperature -40 to +125Tstg ?C ?Electrical characteristics(Ta=25?C) Parameter ConditionsSymbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF - - 0.46 V IF=3A Reverse current IR - - 0.9 mA VR=20V (*1)Mounting on alumina board. Tc=95?C Max. Forward current surge peak （60Hz?1cyc） 30 PMDU 1.2 3.05 0.85 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 1.81±0.1 4.0±0.1 φ1.0±0.1 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.25±0.05 1.5MAX 3.71±0.1 1/3 2011.05 - Rev.C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB05-221K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Bobbin Inductors |
| RB-0524D | 功能描述:DC/DC转换器 1W DC/DC 1kV UNREG 5Vin +/-24Vout RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
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