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参数资料
| 型号： | RB051M-2YTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 163K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 3A 123-SOD |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 460mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 900µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB051M-2YTRDKR RB051M-2YTRDKR-ND |
              Data Sheet www.rohm.com ?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. RB051M-2Y ?Electrical characteristic curves 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 1 10 100 t Ifsm 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 1 10 100 8.3ms Ifsm 1cyc 8.3ms 0 50 100 150 200 AVE:48.0A 360 370 380 390 400 410 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 10000000 0 5 10 15 20 Ta=125?C Ta=75?C Ta=25?C Ta=-25?C Ta=150?C 0.001 0.01 0.1 1 10 0 100 200 300 400 500 Ta=-25?C Ta=125?C Ta=75?C Ta=25?C Ta=150?C FORWARD VOLTAGE:VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:I F (A) REVERSE CURRENT:I R (uA) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:V F (mV) REVERSE CURRENT:I R (uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth ( ? C/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:t rr(ns) f=1MHz AVE:382.2mV Ta=25?C IF=3A n=30pcs Ta=25?C VR=30V n=30pcs AVE:270.0uA 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 AVE:454.2pF Ta=25?C f=1MHz VR=0V n=10pcs 0 5 10 15 20 25 30 AVE:9.8ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 0 0.5 1 1.5 2 012345 DC D=1/2 Sin(?=180) 8.3ms Ifsm 1cyc 1ms IM=10mA IF=0.5A 300us time Mounted on alumina board 2/3 2011.05 - Rev.C |
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PDF描述 |
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