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参数资料
| 型号： | RB055L-30TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 518K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDS2 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB055L-30TE25DKR |
   www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB055L-30 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0 0.1 0.2 0.3 0.4 Sin(θ＝180) D=1/2 D.C. 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) On glass-epoxy substrate 0 50 100 150 200 250 1 10 100 10 100 1000 1 10 100 0 5 10 15 20 25 30 0 50 100 150 200 250 IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) AVE：155.5A 8.3ms 8.3ms IFSM 1cyc trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR AVE:11.5ns PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS 8.3ms 8.3ms IFSM 1cyc PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE:Rth ( ° C /W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS 3/4 2011.10 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB055L-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB055L-40_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB055L-40TE25 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB055L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB055L-60TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:0 |
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