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参数资料
| 型号： | RB068L100TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 376K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB068L100TE25DKR |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB068L100 lApplications lDimensions (Unit : mm) lLand size figure (Unit : mm) General rectification lFeatures 1)Small power mold type. (PMDS) 2)High reliability. 3)Low IR. 4)AEC-Q101 qualified lConstruction Silicon epitaxial planer lStructure lAbsolute maximum ratings (Ta=25 ?C) Symbol Unit VRM V VR V Io A IFSM A Tj ?C Tstg ?C lElectrical characteristics (Ta=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF - - 0.80 V IF=2.0A IR - - 50 μA VR=100V Reverse current Average rectified forward current (*1) 2 Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 60 Junction temperature 150 Storage temperature -40 to +150 (*1)Mounted on epoxy board,60Hz half sine wave, Tc=83°C Max. Parameter Forward voltage Reverse voltage (DC) 100 lTaping dimensions (Unit : mm) Parameter Limits Reverse voltage (repetitive) 100 0.1±0.02 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.2 1.5±0.2 4.0±0.1 2.9±0.1 4.0±0.1 2.0±0.05 φ 1.55±0.05 5.5±0.05 1.75±0.1 12±0.2 φ 1.55 9.5±0.1 0.3 5.3±0.1 0.05 2.8MAX PMDS 2.0 4.2 2.0 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② ① ② 2 2 Manufacture Date 1/4 2012.08 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB068L-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-40TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Rectifier SBD,40V,2A,PMDS |
| RB068L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-60TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Cut Tape |
| RB068L-60TF | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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