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参数资料
| 型号： | RB070M-30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 336K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SOD123 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-123 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1.5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 1.5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB070M-30DKR |
       Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Shottky barrier diode RB070M-30 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification (Common cathode dual chip) ?Features 1) Small power mold type. (PMDU) 2) Low IR 3) High reliability ?Construction Silicon epitaxial planar ?Structure ?Taping specifications (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol UnitLimits VRM V VR V Io A1.5 IFSM A Tj °C150 Tstg °C?40 to ?150 ?Electrical characteristics (Ta=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF1 - 0.37 0.43 V IF=0.5A VF2 - 0.44 0.49 V IF=1.5A Reverse current IR - 9.0 50 μA VR=30V Forward voltage Storage temperature (*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Parameter Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 30 Junction temperature Reverse voltage (DC) 30 Average rectified forward current (*1) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) 30 PMDU 1.2 3.05 0.85 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 1.81±0.1 4.0±0.1 φ1.0±0.1 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.25±0.05 1.5MAX 3.71±0.1 ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 Manufacture Date 0.9±0.1 1.6±0.1 2.6±0.1 3.5±0.2 0.8±0.1 0.1±0.1 0.05 ① 1/3 2011.04 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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