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参数资料
| 型号： | RB080L-30TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 515K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 510mV @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB080L-30TE25DKR |
         www.rohm.com ?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB080L-30 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification ?Features 1)Small power mold type. (PMDS) 2)High reliability 3)Low VF ?Structure Silicon epitaxial planer ?Structure ?Absolute maximum ratings (Ta=25 ?C) Symbol Unit VRM V Reverse voltage (DC) 30VR V Io A5 IFSM A Junction temperature 150Tj ?C Tstg ?C ?Electrical characteristics (Ta=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF - - 0.51 V IF=5.0A IR - - 150 μA VR=30V Forward voltage Reverse current Storage temperature ?40 to ?150 (*1)Alumina substrate at the time of assemble 180° Half Sine Wave, Tc=100°C MAX. Parameter Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 70 ?Taping dimensions (Unit : mm) Parameter Limits Reverse voltage (repetitive) 30 PMDS 2.0 4.2 2.0 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① year week factory ② ① ② 1 2 0.1±0.02 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.2 1.5±0.2 4.0ɑ0.1 2.9ɑ0.1 4.0ɑ0.1 2.0ɑ0.05 倍1.55ɑ0.05 5.5 ɑ 0.05 1.75 ɑ 0.1 12 ɑ 0.2 倍1.55 9.5 ɑ 0.1 0.3 5.3 2.8MAX +0.1 -0.0 1/4 2011.12 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB0810-120K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Bobbin Inductors |
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