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参数资料
| 型号： | RB080L-30TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 515K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 510mV @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB080L-30TE25DKR |
   www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB080L-30 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 5 10 15 20 25 30 D.C. D=1/2 Sin(θ＝180) REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 25 50 75 100 125 150 D.C. D=1/2 Sin(θ＝180) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPERATURE:Tc(°C) DERATING CURVE (Io-Tc) T Tj=150°C D=t/TV R=15V t VR Io 0A 0V 0 5 10 15 20 25 30 C=200pF R=0? C=150pF R=330? AVE:13.2kV No break at 30kV ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 4/4 2011.12 - Rev.B |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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