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参数资料
| 型号： | RB068L100TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 376K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB068L100TE25DKR |
   www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB068L100 300 320 340 360 380 400 420 440 460 480 500 AVE:406pF Tj=25°C f=1MHz VR=0V n=10pcs 100 1000 10000 Tj=25°C VR=100V n=20pcs AVE:312.0nA 600 620 640 660 680 700 720 740 760 780 800 AVE:660.3mV Tj=25°C IF=2.0A n=20pcs 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 20 40 60 80 100 Tj=-40°C Tj=125°C Tj=150°C Tj=75°C Tj=25°C 0.001 0.01 0.1 1 10 0 200 400 600 800 Tj=125°C Tj=150°C Tj=75°C Tj=25°C Tj=-40°C FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:I F (A) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT:I R ( m A) CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:V F (mV) IR DISPERSION MAP REVERSE CURRENT:I R (nA) CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP 2/4 2012.08 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB070M-30TR | DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SOD123 |
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| RB160L-40TE25 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD-106 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB068L-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-40TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Rectifier SBD,40V,2A,PMDS |
| RB068L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-60TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Cut Tape |
| RB068L-60TF | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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