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参数资料
| 型号： | RB068L100TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 376K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB068L100TE25DKR |
   www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB068L100 0 5 10 15 20 25 30 AVE:7.7ns IF=0.5A IR=1.0A Irr=0.25×IR 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 AVE:238.5A IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) 8.3ms IFSM 1cyc trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 1 10 100 1000 1 10 100 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS 8.3ms 8.3ms IFSM 1cyc 1 10 100 1000 1 10 100 PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS t IFSM 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 On glass-epoxy substrate Rth(j-a) Rth(j-c) TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth ( ° C /W) 0 0.5 1 1.5 2 0 1 2 3 4 D.C. D=1/2 Sin(θ＝180) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS 3/4 2012.08 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB068L-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-40TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Rectifier SBD,40V,2A,PMDS |
| RB068L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-60TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Cut Tape |
| RB068L-60TF | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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