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参数资料
| 型号： | RB068L100TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 376K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB068L100TE25DKR |
   www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB068L100 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0 20 40 60 80 100 D.C. D=1/2 Sin(θ＝180) REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 0 1 2 3 4 5 0 50 100 150 D.C. D=1/2 Sin(θ＝180) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPERATURE:Tc(°C) DERATING CURVE(Io-Tc) T R=50V Tj=150°C D=t/TV t VR Io 0A 0V 0 5 10 15 20 25 30 No break at 30kV C=100pF R=1.5kΩ C=200pF R=0Ω AVE:9.2kV ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 4/4 2012.08 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB068L-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-40TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Rectifier SBD,40V,2A,PMDS |
| RB068L-60 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB068L-60TE25 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Cut Tape |
| RB068L-60TF | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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