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参数资料
| 型号： | RB085T-90 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 356K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 830mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky barrier diode
RB085T-90
?Applications
?Dimensions
(Unit : mm)
?Structure
Switching power supply
?Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low IR
3) High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
Reverse voltage (DC) 90VR
V
Average rectified forward current (*1) Io A10
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)
IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=122?C
?Electrical characteristic
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF
- - 0.83 V
IF=5A
Reverse current
IR
- - 150
?A
VR=90
Thermal impedance
?jc
- - 2.5
?C/W
junction to case
Storage temperature
?40 to ?150
Conditions
Parameter
90
100
(1) (2) (3)
9
1/3
2011.04 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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