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参数资料
| 型号： | RB085T-90 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 356K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 830mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB085T-90
?Electrical characteristic curves
0
5
10
15
20
25
30
AVE:7.40ns
Ta=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
0
5
10
15
0 5 10 15 20
D=1/2
DC
Sin(θ=180)
10
100
1000
0.1110100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
Ifsm
1
10
100
Rth(j-a)
Rth(j-c)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Ta=25?C
VR=90V
n=30pcs
AVE:14.3uA
0
50
100
150
200
250
300
AVE:136.0A
8.3ms
Ifsm
1cyc
740
750
760
770
780
790
AVE:766.6mV
Ta=25?C
IF=5A
n=30pcs
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
AVE:498.5pF
Ta=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
1
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0 102030405060708090
Ta=-25?C
Ta=25?C
Ta=75?C
Ta=125?C
Ta=150?C
0.001
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Ta=150?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
Ta=-25?C
10
100
1000
110100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
REVERSE
CURRENT:I
R
(uA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE
CURRENT:I
R
(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
℃
/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1ms
IM=100mA
IF=5A
300us
time
Mounted on epoxy board
IFSM
DISPERSION MAP
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2011.04 - Rev.D
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