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参数资料
| 型号： | RB215T-40 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 352K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | TO-220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky barrier diode
RB215T-40
?Applications
?Dimensions
(Unit : mm)
?Structure
Switching power supply
?Features
1) Cathode common dual type.(TO-220)
2) Low IR
3) High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
Reverse voltage (DC) 40VR
V
Average rectified forward current(*1) Io A20
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)
IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristic
(Ta=25
?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 0.55 V
IF=10A
Reverse current
IR
- - 500
μA
VR=40V
Thermal impedance
?jc - - 1.75
?C/W junction to case
Conditions
Storage temperature
?40 to ?150
Parameter
Forward voltage
45
100
(*1)Business frequencies, 1/2 Io per diode, Tc=121?C
(1) (2) (3)
215
4
1/3
2011.04 - Rev.E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB215T-60 | DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220FN |
| RB215T-90 | DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220FN |
| RB225NS-40TL | DIODE SCHOTTKY 40V 30A LPDS |
| RB225T-40 | DIODE SCHOTTKY 40V 30A TO-220FN |
| RB225T-60 | DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220FN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB215T-40_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-40_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-60 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 60V 20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB215T-60_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-60_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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