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参数资料
| 型号： | RB215T-90 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 320K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | TO-220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 750mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 400µA @ 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky barrier diode
RB215T-90
?Applications ?Dimensions (Unit : mm)
?Structure
General rectification
(Common cathode dual chip)
?Features
1) Small power mold type.(PMDU)
2) Low IR
3) High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive) 90VRM
V
Reverse voltage (DC) 90VR
V
Average rectified forward current(*1) 20Io A
IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristic
(Ta=25
?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF
- - 0.75 V
IF=10A
IR
- - 400
μA
VR=90V
Thermal impedance
?jc
- - 1.75
?C/W
junction to case
Conditions
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=110?C
Parameter
100
Storage temperature
?40 to ?150
Reverse current
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)
(1) (2) (3)
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
10.0±0.3
0.1
5.0±0.2
8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
0.1
4.5±0.3
0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5MIN
8.0
15.0±0.4
0.2
①
ROHM : ＴO220FN
①
Manufacture Date
1/3
2011.04 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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