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参数资料
| 型号： | RB425DT146 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 343K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 0.1A SOT-346 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-346 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB425DT146DKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB425D
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low power rectification
?Features
1) Small mold type. (SMD3)
2) Low IR
3) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
Io mA100
IFSM
A
Tj °C125
Tstg °C?40 to ?125
?Electrical characteristics (Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF1
- - 0.55 V IF=100mA
VF2
- - 0.34 V IF=10mA
Reverse current
IR1
--30μAVR=10V
Capacitance between terminals Ct1 - 6 - pF
VR=10V , f=1MHz
Parameter
Forward voltage
Conditions
Storage temperature
(*1) Rating of per diode：Io/2
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
1
Junction temperature
Reverse voltage (DC)
40
Average rectified forward current (*1)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
40
SMD3
1.0MIN.
0.8MIN.
2.4
0.95
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB425D-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100MA 40V SOT23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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