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参数资料
| 型号： | RB480KTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 0.1A SOT-343 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-343 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | UMD4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB480KTLDKR |
Datasheet
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB480K / RB480KFH
?Application
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1) Ultra small mold type.
(UMD4)
2)
Low IR
?Structure
3) High reliability
?Construction
?Taping specifications (Unit : mm)
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
Reverse voltage (DC)
VR
V
Average rectified forward current (*1) Io mA100
IFSM
A
Junction temperature Tj °C125
Storage temperature Tstg °C?40 to +125
(*1) Rating of per diode
Parameter ConditionsSymbol Min. Typ. Max. Unit
VF1
- - 0.45 V
IF=10mA
VF2
--0.6VIF=100mA
IR1
--1μAVR=10V
IR2
--5μAVR=40V
Ct1 - 6 - pF
VR=10V, f=1MHz
Ct2 - - 25 pF
VR=0V
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
?Electrical characteristics (Ta= 25°C)
45
40
1
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
㈩㈥㈧ɑ㈧㈥㈩
㈩㈥㈨ɑ㈧㈥㈨
㈨㈥㈩Ⅲɑ㈧㈥㈨
㈧㈥㈩Ⅲɑ㈧㈥㈨②㈧㈥㈧Ⅲ
Each lead has same dimension得佰ш昂ｄ￣
犬窿厅
⑩Ⅰ㈠
⑩㈩㈠
㈨㈥Ⅰɑ㈧㈥㈨
㈧㈥ⅣⅢ
㈧㈥ⅣⅢ
⑩Ⅱ㈠ ⑩㈨㈠
㈧㈥㈨Ⅲɑ㈧㈥㈧Ⅲ
㈧㈥Ⅶɑ㈧㈥㈨
㈧㈥Ⅴ
㈧㈥㈨／ＫＰ
㈧э㈧㈥㈨
dot (year week factory)
ROHM : UMD4
JEITA : SC-82
JEDEC : SOT-343
1Pin Mark
UMD4
0.6
1.6
0.9MIN
1.3
2.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
50.0±5.3
1.0±57.1
2.0±0.8
1.15±0.1
1.0±4.2
φ1.1±0.1
1.0±54.2
0.3±0.1
1.0
±4.
2
2
.
0±
5.5
5.0
0
1/4
2012.12 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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