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参数资料
| 型号： | RB481KFSTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 512K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 4UMD |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | UMD4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Datasheet
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB481K / RB481KFH
?Application
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1) Ultra small mold type.
(UMD4)
2)
Low VF
?Structure
3) High reliability
?Construction
?Taping specifications (Unit : mm)
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
Reverse voltage (DC)
VR
V
Average rectified forward current (*1) Io mA200
IFSM
A
Junction temperature Tj °C125
Storage temperature Tstg °C?40 to ?125
(*1) Rating of per diode
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF1
- - 0.28 V
IF=10mA
VF2
- - 0.33 V
IF=100mA
VF3
- - 0.43 V
IF=100mA
VF4
- - 0.50 V
IF=100mA
IR
--30?AVR=10V
Reverse current
?Electrical characteristics (Ta= 25°C)
Parameter
Conditions
Forward voltage
Parameter
30
30
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
1
dot (year week factory)
ROHM : UMD4
JEITA : SC-82
JEDEC : SOT-343
1Pin Mark
UMD4
0.6
1.6
0.9MIN
1.3
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.25±0.1
0.05
Each lead has same dimension各リードとも
同寸法
(3)
(2)
1.3±0.1
0.65
0.65
(4) (1)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7
0.1Min
0～0.1
2.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
.
35± .
005
1
.±
5
7.
0 1
.
8±
0.
02
1.15±0.1
.2
4±
.0 1
φ
1.1± 0.1
.
25
4±
0
.1
0.3±0.1
.2
4± .
0 1
.
55± .
02
00.5
1/4
2012.12 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB481Y-40T2R | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB481KTL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA SOT-343 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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| RB481Y | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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