参数资料
型号: RB481KFSTL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 512K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 4UMD
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 10V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-82A,SOT-343
供应商设备封装: UMD4
包装: 带卷 (TR)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB481K / RB481KFH
 
10
100
1000
0.001
0.1
10
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms300?s
IM=10mA IF=100mA
time
Mounted on epoxy board
0
5
10
15
20
AVE : 5.60A
0
5
10
110100
0
5
10
1 10 100
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Sin(θ=180)
DC
D = 1/2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0 102030
Sin(θ=180)
DC
D = 1/2
IFSM
DISPERSION MAP
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
°
C/W)
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
FORWARD POWER
DISSIPATION : Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
1cyc.
8.3ms
8.3ms
IFSM
8.3ms
IFSM
1cyc.
IFSM
time
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR
CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION : P
R
(W)
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2012.12 - Rev.D
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