参数资料
型号: RB480KTL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 505K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 0.1A SOT-343
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode SOT-343
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 40V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 40V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-82A,SOT-343
供应商设备封装: UMD4
包装: 标准包装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RB480KTLDKR
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB480K / RB480KFH
 
0
5
10
15
20
AVE : 5.5A
0
5
10
15
0.1 1 10 100
0
5
10
15
0.1 1 10 100
1
10
100
1000
0.001
0.1
10
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
00.10.2
Sin(θ=180)
DC
D = 1/2
Per chip
0
0.001
0.002
0.003
0102030
Sin(θ=180)
DC
D = 1/2
Per chip
IFSM
DISPERSION MAP
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
°
C/W)
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
FORWARD POWER
DISSIPATION : Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
1cyc.
8.3ms
8.3ms
IFSM
8.3ms
IFSM
1cyc.
IFSM
time
1ms300μs
IM=10mA IF=100mA
time
Mounted on epoxy board
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR
CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION : P
R
(W)
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2012.12 - Rev.D
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