参数资料
型号: RB215T-90
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 320K
描述: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220FN
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: TO-220FN
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 500
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 750mV @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 400µA @ 90V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 90V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FN
包装: 散装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB215T-90
 
0
10
20
30
40
50
60
0 25 50 75 100 125 150
T
=45V
Tj=150R
?C
D=t/T
V
t
VR
Io
0A
0V
0
10
20
30
40
50
60
0 25 50 75 100 125 150
T
=45V
Tj=150R
?C
D=t/T
V
t
VR
Io
0A
0V
0
10
20
30
0 102030405060708090
DC
D=1/2
Sin(?=180)
0
5
10
15
20
25
30
No Break at 30kV
C=100pF
R=1.5k?
C=200pF
R=0?
AVE:11.6kV
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(?C)
Derating Curve"(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(?C)
Derating Curve"(Io-Tc)
Sin(?=180)
DC
D=1/2
Sin(?=180)
DC
D=1/2
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
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2011.04 - Rev.D
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