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参数资料
| 型号： | RB228T100 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 460K |
| 描述： | DIODE ARR SCHOTTKY 100V TO220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 870mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB228T100
lApplications
lDimensions (Unit : mm)
lStructure
Switching power supply
lFeatures
1)Cathode common type.
2)Low IR
3)High reliability
4)AEC-Q101 qualified
lConstruction
Silicon epitaxial planer
lAbsolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Symbol
Unit
VRM
V
VR
V
Io
A
IFSM
A
Tj
?C
Tstg
?C
(*2) per diode
lElectrical characteristics
(Ta=25
?C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
VF
-
-
0.87
V
IF=5A
Reverse current
IR
-
-
0.15
mA
VR=100V
Thermal impedance
θjc
-
-
2.00
°C/W
junction to case
Reverse voltage (DC)
100
Parameter
Limits
Reverse voltage (repetitive)
110
Storage temperature
-40 to +150
(*1) Business frequence sin wave, Tc=83°C max. Rating of per diode : lo/2
Parameter
Average rectified forward current (*1)
30
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*2)
100
Junction temperature
150
ROHM : ＴO220FN
①
Manufacture Date
1.2
1.3
0.8
(1)
(2)
(3)
10.0±0.3
0.1
5.0±0.2
8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
0.1
4.5±0.3
0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5MIN
8.0
15.0±0.4
0.2
①
1/4
2012.08 - Rev.B
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