参数资料
型号: RB228T100
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 460K
描述: DIODE ARR SCHOTTKY 100V TO220FN
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 500
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 870mV @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 100V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FN
包装: 散装
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB228T100
 
0.001
0.01
0.1
1
10
100
100
200
300
400
500
600
700
800
900
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=150°C
Ta=-25°C
Ta=25°C
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
Ta=-25°C
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=150°C
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
10
100
1000
0
10
20
30
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
720
730
740
750
760
770
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:731.5mV
Ta=25°C
IF=5A
n=30pcs
0
100
200
300
400
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
Ta=25°C
VR=100V
n=30pcs
AVE:151nA
500
510
520
530
540
550
560
570
580
590
600
AVE:514.4pF
Ta=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
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2012.08
- Rev.B
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