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参数资料
| 型号： | RB228T100 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 460K |
| 描述： | DIODE ARR SCHOTTKY 100V TO220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 870mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB228T100
200
250
300
350
400
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
AVE:231A
8.3ms
IFSM
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
AVE:8.2ns
Ta=25°C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*I
n=10pcsR
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
100
150
200
250
300
1
10
100
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
0
100
200
300
400
1
10
100
t
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
Mounted on epoxy board
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
3/4
2012.08
- Rev.B
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