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参数资料
| 型号： | RB520S-30FTE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB520S-30 10 100 1000 10000 0.001 0.1 10 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1 10 100 0 102030 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(mA) 0 0.1 0.2 0.3 0 0.10.20.30.40.5 REVERSE CURRENT:IR(nA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(nA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 AVE:28.2pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 0 5 10 15 20 25 30 AVE:5.60A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 5 10 110100110100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 5 10 t Ifsm 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 0 102030 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ f=1MHｚ 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0 5 10 15 20 25 30 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 480 490 500 510 520 530 AVE:507.6mV Ta=25℃ IF=200mA n=30pcs Ta=125℃ Ta=-25℃ Ta=25℃ Ta=75℃ Ta=25℃ VR=10V n=30pcs AVE:114nA DC D=1/2 Sin(θ＝180) 1ms IM=10mA IF=100mA 300us time Mounted on epoxy board 2/3 2011.03 - Rev.D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB520S-40TE61 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 |
| RB520S30,115 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| RB520S30T1 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| RB520S30 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F |
| RB520ZS-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2GMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB520S30L-CC2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| RB520S-30LP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:100 mA Schottky Rectifier 30 Volts |
| RB520S-30LP-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100mA, 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB520S-30RK | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode |
| RB520S-30RKG | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode |
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