- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录142 > RB520S-40TE61 (Rohm Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RB520S-40TE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 403K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB520S-40TE61DKR |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB520S-40 10 100 1000 10000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=1mA IF=200mA 300us time Mounted on epoxy board 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1 10 100 0102030 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(mA) 0 0.1 0.2 0.3 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 REVERSE CURRENT:IR(μA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(nA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 AVE:23.2pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 0.1 1 10 100TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 0 5 10 15 20 25 30 AVE:5.60A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 5 10 1101000 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS f=1MHｚ Ta=25℃ VR=10V n=30pcs AVE:67.0nA 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0 10203040 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 5 10 15 t Ifsm Ta=125℃ Ta=-25℃ Ta=25℃ Ta=75℃ DC D=1/2 Sin(θ＝180) 460 470 480 490 500 510 AVE:491.2mV Ta=25℃ IF=100mA n=30pcs 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0 10203040 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 2/3 2011.03 - Rev.E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB520S30,115 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| RB520S30T1 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| RB520S30 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F |
| RB520ZS-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2GMD |
| RB521CS-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2VMN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB520S-40-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Diode 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB520SM-30GJT2R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE, EMD2 |
| RB520SM-30T2R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A 2-PIN EMD T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V EMD2M 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:RB520SM Series SOD-523 30 V 0.2 A Schottky Barrier Diode 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 30V 0.2A |
| RB520SM-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB520SM-40T2R | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。