参数资料
型号: RB520S30T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 87K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
产品变化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装: 10
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 剪切带 (CT)
工具箱: SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN
其它名称: RB520S30T1OSCT
RB520S30T1G, RB520S30T5G
http://onsemi.com
2
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
Output
Pulse
Generator
50
Input
Sampling
Oscilloscope
t
r
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; measured
at iR(REC)
= 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
200
0.1
0.0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85°C
10
0.001
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
510152025
14
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
12
4
2
51015 3020
25
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Total Capacitance
25°C
?°C
?55°C
TA
=
150°C
TA
=
125°C
TA
=
85°C
TA
=
25°C
0.6
1°C
1°C
100
1000
30
6
8
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
A)
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
100
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RB520S30T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 200MA
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RB520S30TD 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diode