参数资料
型号: RB521S30T5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 113K
描述: DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD523
标准包装: 8,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 带卷 (TR)
RB521S30T1G, NSVRB521S30T1G, RB521S30T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Leakage (VR
= 10 V)
IR
?
?
30.0
A
Forward Voltage (IF
= 200 mA)
VF
?
?
0.50
Vdc
100
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
1
100n
1n
51015202530
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
12
4
2
0
51015 3020
25
TA
= 125
?C
TA
=
?25?C
1m
10m
6
8
10
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
C
T
, TOATAL CAPACITANCE (pF)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
1
10
100
1m
10m
100m
1
Figure 1. Forward Characteristics
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
TA
= 125
?C
TA
= 75
?C
TA
= 25
?C
TA
= 75
?C
TA
= 25
?C
TA
=
?25?C
Figure 2. Reverse Characteristics
Figure 3. Total Capacitance
10n
14
16
18
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