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参数资料
| 型号： | RB521ZS8A30TE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 524K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 8PIN |
| 产品目录绘图： | HMD8 |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 4 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 8-HMD（1.6x0.8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB521ZS8A30TE61DKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB521ZS8A30
lApplications
lDimensions (Unit : mm)
Rectifying small power
lFeatures
1) Ultra small mold type (HMD8)
2) Halogen Free
lStructure
lConstruction
Silicon epitaxial planer
lAbsolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Symbol
Unit
VR
V
Io
mA
ＩFSM
mA
Tj
?C
Tstg
?C
Pd
mW/Total
lElectrical characteristics
(Ta=25
?C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VF
-
-
0.37
V
IF=10mA
IR
-
-
7
μA
VR=10V
lLand size figure (Unit : mm)
lTaping dimensions (Unit : mm)
Parameter
Limits
Reverse voltage (DC)
30
Average rectified forward current (*1)
100
Forward current surge peak (60Hz?1cyc.) (*2)
500
Junction temperature
150
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Storage temperature
-55 to +150
Power dissipation
400
(*1)(*2)Rating of per diode
JEDEC : JEITA : --
ROHM : HMD8
dot
(year week factory)
A H
0.25
0.3
0.4
HMD8
1/4
2011.11 - Rev.A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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