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参数资料
| 型号： | RB550EATR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 164K |
| 描述： | DIODE ARR SCHTKY 30V 700MA TSMD5 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 700mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 700mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMD5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
www.rohm.com
?2011
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB550EA
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1)Small mold type.（TSMD5）
2)Low VF, Low IR
3)High reliability
?Construction
Silicon Epitaxial Planer
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VR
V
Io A0.7
IFSM
A
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?40 to ?150
?Electrical characteristics (Ta=25°C, Rating of per diode.)
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions
VF1
0.39 0.45 0.49 V IF=0.7A
IR1 - 1 30.00
μAVR=10V
IR2 5.0 50
μAVR=30V
C=100PF,R=1.5K?
Parameter
Reverse voltage (DC)
30
Average rectified forwarfd current (*1)
Forward current surge peak (t=1msec)
12
Storage temperature
(*1)Rating of per diode.
Parameter
Forward voltage
Reverse current
ESD break down voltage ESD 15 - - KV
Forward and reverse : 1 times
2.9±0.1
2.8±0.2
1.9±0.2
1.6
＋0
.2
－0
.1
0.95 0.95
0.4
＋0.1
－0.05
各リードともEach lead has same dimension同寸法
0～0.1
0.33±0.03
(1) (3)(2)
(5)
(4)
0.3～
0.6
0.85±0.1
1.0Max
0.7±0.1
0.16±0.1
0.06
TSMD5
ROHM : TSMD5
dot(year week factory) + day
3.2±0.08
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
1.1±0.08
3.2±0.08
φ1.1±0.1
3.2±0.08
0.3±0.1
0～
0.5
5.5±0.2
0.8MIN.
1.0MIN.
0.45 0.35
0.45
0.6
0.35
1.9
0.95 0.95
2.4
1/3
2011.05 - Rev.A
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PDF描述 |
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