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参数资料
| 型号： | RB557WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 340K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 3EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB557WTLDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB557W
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
General rectification
?Features
1)Ultra small mold type. (EMD3)
2)Low VF
3)High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
ParameterSymbol
Limits
Unit
Reverse voltage (DC)VR
30
V
Average rectified forward current (*1) 100Io mA
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)IFSM
500
mA
Junction temperature 125Tj °C
Storage temperatureTstg °C?40 to ?125
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
ParameterSymbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltageVF1
- - 0.35 V
IF=10mA
VF2
- - 0.49 V
IF=100mA
Reverse currentIR
--10μAVR=10V
Conditions
(*1) Rating of per diode
EMD3
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
ROHM : EMD3
JEITA : SC-75A
JEDEC : SOT-416
dot (year week factory
(3)
1.6±0.2
1.6±0.2
1.0±0.1
0.8±0.1
0.5
0.5
(2)
(1)
0.15±0.05
0.7±0.1
0.55±0.1
0.1Min
0～0.1
0.2±0.1
-0.05
0.3±0.1
0.05
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5
?0.1
0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
1/3
2011.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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