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参数资料
| 型号： | RB557WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 340K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 3EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB557WTLDKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB557W
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
Ta=75℃
100
1000
0 100 200 300 400 500 600
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 1020300 5 10 15 20
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
1
10
100
f=1MHｚ
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
AVE:2.017uA
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
AVE:17.34pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
0.1 1 10 100
t
Ifsm
0
5
10
15
20
AVE:3.90A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
1
10
100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
00.10.20102030
Per diode
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
Per diode
1
10
100
1000
0.001 0.1 10 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=1mA
IF=10mA
300us
time
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
250
260
270
280
290
300
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
AVE:270.2mV
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
DC
D=1/2
Mounted on epoxy board
2/3
2011.04 - Rev.A
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