- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录106 > RB550EATR (Rohm Semiconductor)DIODE ARR SCHTKY 30V 700MA TSMD5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RB550EATR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 164K |
| 描述： | DIODE ARR SCHTKY 30V 700MA TSMD5 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 700mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 700mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMD5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet
www.rohm.com
?2011
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
RB550EA
0
5
10
15
20
25
30
AVE:8.3ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
1 10 100TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.001 0.1 10 1000TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0.001
0.01
0.1
1
0 100 200 300 400 500 600
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0 5 10 15 20 25 30
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=150℃
1
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
440
450
460
470
480
490
AVE:459.6mV
Ta=25℃
IF=0.7A
n=30pcs
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
AVE:3.141uA
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
AVE:149.9pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
15
20
25
30
AVE:15.1A
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms8.3ms
8.3ms
Ifsm
Ifsm
1cyc1cyc
8.3ms
0
5
10
15
20
1 10 100
0
5
10
15
20
25
30
t
Ifsm
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=10mA IF=0.2A
300us
time
Mounted on epoxy board
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
00.511.5
DC
D=1/2
Sin(θ＝180)
2/3
2011.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB557WTL | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 3EMD |
| RB705DT146 | DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOT-346 |
| RB706D-40T146 | DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOT-346 |
| RB706F-40T106 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOT-323 |
| RB715FT106 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB550SS-30 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB550SS-30T2R | 功能描述:DIODE SCHOTTKY MED PWR KMD2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| RB550V-30 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Low VF,Low IR, High reliability |
| RB550VA-30 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB550VA-30_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。