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参数资料
| 型号： | RB550VA-30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 333K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode TUMD2 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 520mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB550VA-30DKR |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB550VA-30 0 5 10 15 20 25 30 AVE:8.3ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(A) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(nA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 1 10 100TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 0.001 0.1 10 1000TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) 0 0.5 1 1.5AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 0.001 0.01 0.1 1 0 100 200 300 400 500 600 Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=150℃ 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 0 5 10 15 20 25 30 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ Ta=150℃ 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 440 450 460 470 480 490 AVE:459.6mV Ta=25℃ IF=0.7A n=30pcs 0 5 10 15 20 25 30 Ta=25℃ VR=30V n=30pcs AVE:3.141uA 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 AVE:149.9pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 0 5 10 15 20 25 30 AVE:15.1A 8.3ms Ifsm 1cyc 8.3ms8.3ms 8.3ms IfsmIfsm 1cyc1cyc 8.3ms 0 5 10 15 20 1 10 100 0 5 10 15 20 25 30 t Ifsm 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=10mA IF=0.2A 300us time Mounted on epoxy board 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 2/3 2011.05 - Rev.D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB551V_30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky Diodes |
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