参数资料
型号: RB751S-40TE61
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/4页
文件大小: 401K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode SOD-523
标准包装: 0
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 30mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 370mV @ 1mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500nA @ 30V
电容@ Vr, F: 2pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: EMD2
包装: 标准包装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RB751S-40TE61DKR
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky barrier diode
RB751S-40
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD2)
2) Low VF
3) High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol
Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 40VRM
V
Reverse voltage (DC) 30VR
V
Average retified forward current 30Io
mA
Forward currnt surge peak(60Hz/1cyc) 200IFSM
mA
Junction temperature 125Tj
°C
Storage temperature -40 to +125Tstg
°C
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 0.37 V
IF=1mA
IR
- - 0.5
μA
VR=30V
Ct - 2 - pF
VR=1V , f=1MHz
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
EMD2
0.8
1.7
0.6
ROHM : EMD2
JEDEC :SOD-523
JEITA : SC-79
dot (year week factory)
0.12±0.05
0.6±0.1
0.3±0.05
0.8±0.05
1.2±0.05
1.6±0.1
0.900.95±0.06±0.05
0
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.05φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.15
0.2±0.05
0.750.76±0.05±0.05
1.26±0.05
0
φ0.5
0.6
2.0±0.05
1.3±0.06
0
2.45±0.1
Empty pocket空ポケット
0.2
2.40
±
0.05
1.25
?
0.06
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0
1.25
?
0.06
?
0
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2011.03 - Rev.C
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PDF描述
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参数描述
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RB751S40X 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751S40X_R1_00001 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB751S40X_R2_00001 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
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