- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录142 > RB751S-40TE61 (Rohm Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RB751S-40TE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 401K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-523 |
| 标准包装： | 0 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 370mV @ 1mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB751S-40TE61DKR |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB751S-40 ?Electrical characteristic curves FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(mA) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DIPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(nA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS 0.01 0.1 1 10 Ta=75℃ 100 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 100 0 Ta=125℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 01020300.1 0102030 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 AVE:185.5nA Ta=25℃ VR=30V n=30pcs 0 5 10 15 20 AVE:7.30A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 5 10 15 20 1 10 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 10 100 t Ifsm 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 Sin(θ＝180) D=1/2 DC 0 0.001 0.002 0.003 0 102030 Sin(θ＝180) DC D=1/2 1 10 f=1MHz VF分布 250 260 270 280 290 300 AVE:267.4mV Ta=25℃ IF=1mA n=30pcs 10 100 1000 10000 0.001 0.1 10 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=1mA IF=10mA 300us time Mounted on epoxy board 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 AVE:2.00pF Ta=25℃ f=1MHz VR=1V n=10pcs 2/3 2011.03 - Rev.C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB751S40T1 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SOD-523 |
| RB751S40 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD-523F |
| RB751SL | IC DIODE SCHOTTKY 30V SOD-923 |
| RB751V-40 | DIODE SCHOTTKY 30MA 30V SOD-323 |
| RB751V40T1 | DIODE SCHOTTKY 40V 1MA SOD323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB751S-40-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 200 mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB751S40X | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB751S40X_R1_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB751S40X_R2_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB751SL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 0.03A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。