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参数资料
| 型号： | RF2001T4S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 320K |
| 描述： | DIODE FAST REC 430V 20.0A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 400V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RF2001T4S ?Electrical characteristics curves 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=100mA IF=1A 300us time 10 100 1000 0.1 1 10 100 t Ifsm 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 10203040 Sin(?=180) DC D=1/2 1 10 100 1000 110100 8.3ms Ifsm 1cyc 8.3ms 0 50 100 150 200 250 300 AVE:236.0A 8.3ms Ifsm 1cyc 1300 1400 1500 1600 0 5 10 15 20 25 30 AVE:22.6ns Ta=25?C IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 Ta=125?C Ta=75?C Ta=25?C Ta=-25?C Ta=150?C 0.01 0.1 1 10 100 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 Ta=-25?C Ta=125?C Ta=75?C Ta=25?C Ta=150?C FORWARD VOLTAGE:VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:I F (A) REVERSE CURRENT:I R (nA) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:V F (mV) REVERSE CURRENT:I R (uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth ( ? C/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) f=1MHz 400 420 440 460 480 500 AVE:442.1pF Ta=25?C f=1MHz VR=0V n=10pcs Ta=25?C VR=400V n=20pcs AVE:55.8nA AVE:1399mV Ta=25?C IF=20A n=20pcs IFSM DISPERSION MAP 2/3 2011.05 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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