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参数资料
| 型号： | RF2001T4S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 320K |
| 描述： | DIODE FAST REC 430V 20.0A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 400V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
        www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RF2001T4S 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 25 50 75 100 125 150 Sin(?=180) DC D=1/2 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 25 50 75 100 125 150 Sin(?=180) DC D=1/2 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(?C) Derating Curve"(Io-Ta) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPARATURE:Tc(?C) Derating Curve"(Io-Tc) T R=200V Tj=150?C D=t/T t VR Io V 0A 0V T R=200V Tj=150?C D=t/T t VR Io V 0A 0V 0 5 10 15 20 25 30 C=200pF R=0? C=100pF R=1.5k? No break at 30kV No break at 30kV C=150pF R=330? AVE:8.8kV ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 3/3 2011.05 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RF2001T4S_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Fast recovery diode |
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| RF2001TAS75 | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:RF CONNECTORS |
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