参数资料
型号: RF301B2STL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 403K
描述: DIODE FAST REC 200V 3A DPAK
产品培训模块: Diodes Overview
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 2,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 930mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: CPD
包装: 带卷 (TR)
其它名称: RF301B2STL-ND
RF301B2STLTR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF301B2S
?Electrical characteristics curves
0
50
100
150
200
250
300
8.3ms
Ifsm
1cyc
0.001
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Ta=150?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
Ta=-25?C
840
850
860
870
880
890
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
Ta=150?C
Ta=75?C
Ta=-25?C
Ta=125?C
Ta=25?C
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
AVE:99.4pF
Ta=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
1
10
100
0 102030
f=1MHz
0
5
10
15
20
25
30
AVE:13.7ns
Ta=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
1
10
100
1000
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ta=25?C
VR=200V
n=30pcs
AVE:4.60nA
AVE:859.4mV
Ta=25?C
IF=3A
n=30pcs
VF
DISPERSION MAP
IR
DISPERSION MAP
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
AVE:126.0A
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2011.05 - Rev.D
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RF3021PCK-410 制造商:RFMD 制造商全称:RF Micro Devices 功能描述:SPDT, HIGH ISOLATION, SINGLE BIT CONTROL, SWITCH