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参数资料
| 型号： | RFU10TF6S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 343K |
| 描述： | DIODE FAST REC 600V 10.0A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220NFM |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.8V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220NFM |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
        Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RFU10TF6S ?Series ?Dimentions(Unit : mm) ?Structure Ultra Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Single type.(TO-220) 2)Ultra High switching speed ?Construction Silicon epitaxial plnner ?Absolute maximum ratings(Tc=25?C) Symbol VRM VR Average rectified forward current Io 60Hz half sin wave, Resistance load, Tc=50?C Tj Tstg ?Electrical characteristics(Tj=25?C) Symbol Min. UnitConditions Typ. Max. Forward voltage VF -V2.3 2.8 Reverse current IR - μA Reverse recovery time trr - ns Thermal Resistance Rth(j-c) - ?C / W Storage temperature ?55 to ?150 ?C A one cycle peak value, Tj=25?C Junction temperature 150 ?C Forward current surge peak IFSM 60Hz half sin wave, Non-repetitive 100 10 A Reverse voltage Direct voltage 600 V Repetitive peak reverse voltage Duty≦0.5 600 V Parameter Conditions Limits Unit junction to case - 3.5 10 IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR 16 25 VR=600V 0.03 Parameter IF=10A (1) (3) (1) (3) 1/3 2011.06 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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