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参数资料
| 型号： | RF601B2DTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 407K |
| 描述： | DIODE FAST REC 200V 3A 3-CPD |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 930mV @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 3A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPD |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RF601B2DTLDKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB601B2D
?Electrical characteristic curves
0.001
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Ta=150?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
Ta=-25?C
0
5
10
15
20
25
30
AVE:13.7ns
Ta=25°C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
10
100
1000
110100
8.3m
8.3m
Ifsm
1cyc
840
850
860
870
880
890
0.1
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
Ta=150?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25°C
Ta=-25?C
z
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
AVE:99.4pF
Ta=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
50
100
150
200
250
300
AVE:126.0A
8.3m
Ifsm
1cyc
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT : I
F
(A)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
1
10
100
0 102030
f=1MHz
AVE:4.60nA
AVE:859.4mV
Ta=25°C
VR=0pcs
n=30pcs
Ta=25?C
IF=3A
n=30pcs
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
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2011.05 - Rev.F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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