参数资料
型号: RF601B2DTL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 407K
描述: DIODE FAST REC 200V 3A 3-CPD
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 930mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 25ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: CPD
包装: 标准包装
其它名称: RF601B2DTLDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB601B2D
 
1101000.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=100mA IF=3A
300us
tim
Mounted on a epoxy board
0
2
4
6
8
10
0246810
Sin(?
=180)
D=1/2
DC
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(?C)
DETATING CURVE?(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(?C)
DETATING CURVE?(Io-Tc)
0
5
10
15
0 25 50 75 100 125 150
DC
D=1/2
Sin(??180)
0
5
10
15
0 25 50 75 100 125 150
D=1/2
Sin(??180)
DC
TT
D=t/TD=t/T
VR=100V
tt
VVRR
IoIo
VR=100V
0A0A
0V0V
T
Tj=150?C
D=t/T
VR=100V
t
VR
Io
0A
0V
0
5
10
15
20
25
30
No break at 30kV
No break at 30kV
C=100pF
R=1.5k?
C=200pF
R=0?
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
Tj=150?C
10
100
1000
t
Ifsm
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
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2011.05 - Rev.F
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