参数资料
型号: RFD14N05LSM
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
产品目录绘图: DPAK, TO-252(AA)
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 14A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
功率 - 最大: 48W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252AA
包装: 管件
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
RFD14N05L, RFD14N05LSM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
t ON
t OFF
V DS
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
V GS
R L
DUT
+
-
V DD
0
10%
90%
10%
R GS
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(5)
Q g(TOT)
V GS = 10V
I G(REF)
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 1V
0
V GS = 5V
Q g(TH)
I G(REF)
0
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD14N05L, RFD14N05LSM Rev. C0
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